Зарождение новой фазы (зародышеобразование, нуклеация), процесс флуктуационного образования жизнеспособных центров выделения новой фазы при фазовых переходах первого рода. Различают зарождение новой фазы гомогенное (в объеме материнской фазы) и гетерогенное (на посторонних частицах, пов-стях сосудов и др.). Закономерности зарождения новой фазы и послед. роста зародышей при кристаллизации, конденсации пара, кипении и расслаивании растворов определяют строение образующихся дисперсных систем и должны учитываться при анализе условий протекания этих процессов в природе и технике.
Зарождение новой фазы , как правило, происходит при метастабильном состоянии исходной системы.
Рис. 1. Зависимости давления от объема при критич. температуре (1) и ниже критич. температуры (2); пунктирная часть кривой 2 отвечает лабильным состояниям; прямая 3 соединяет равновесные состояния жидкости и пара; 4 - бинодаль; 5 -спинодаль; Тк - критич. точка.
При конденсациипара (рис. 1)
область метастабильного состояния на диаграмме давление р - объем V расположена между бинодалью, т. е. кривой, соединяющей точки, отвечающие равновесным состояниям при разных температурах Т для жидкости и пара (соотв. точки А и Б), и спинодалью - кривой, соединяющей точки, в которых dp/dV=0 (точки В и Г). Под спинодалью расположена область абс. неустойчивости системы (область лабильных состояний). Степень отклонения системы от равновесного состояния, или глубина ее внедрения в метастабильную область, характеризуется разностью хим. потенциалов Dm между метастабильной исходной фазой (И. ф.) и стабильной новой фазой (Н. ф.): Dm = mИ. ф. — mН.ф. Величина Dm м. б. выражена через непосредственно измеримые величины с использованием обычных термодинамич. соотношений (далее приводятся простейшие выражения, которые м. б. уточнены с помощью обычных термодинамич. приемов, например, введением коэф. активности):
- при конденсации пара, давление которого р: Dm = RTln(p/p0) где р0- давление насыщ. пара, R - универсальная газовая постоянная. Т - абс. температура. р/р0 - пересыщенис пара;
- при кристаллизации однокомпонентных частиц из раствора концентрациис: Dm = RTln(с/с0), где с0 - растворимость при температуре кристаллизации, с/с0 - пересышение раствора;
- при кристаллизациирасплава при температуре Т, более низкой, чем температура плавления T0: Dm = DНпл.DT/T0, где DНпл - теплота плавления, DT= T0 — Т - переохлаждение расплава;
- при кипении при температуре Т, более высокой, чем температура кипения Т0, или давлении р, более низком, чем давление насыщ. парар0: Dm = DНисп.DT/T0 = Vm (р0 - р), где DT = Т - T0 -
перегрев жидкости, Vm - ее молярный объем (Vm = M/d; М - мол. масса, d - плотность жидкости); давление р м. б. и отрицательным (для т. н. растянутых жидкостей, например, в пузырьковых камерах, применяемых для регистрации элементарных частиц).
Термодинамическая теория зарождения новой фазы развитая Дж. Гиббсом (1876-78) и М. Фольмером (1939), учитывает уменьшение энергии системы при образовании зародыша вследствие перехода вещества в термодинамически более стабильное состояние и рост энергии, связанный с образованием пов-сти раздела И. ф. - Н. ф. При гомогенном образовании сферич. зародыша радиуса r (капля, пузырьки) при постоянных давлении и температуре изменение своб. энергии Гиббса DG равно:
здесь g - поверхностное натяжение (уд. свободная поверхностная энергия), т - кол-во вещества Н. ф. в частице (в молях), Vт - его молярный объем. Зависимость DG(r) имеет максимум при r = rк (рис. 2), которому отвечает состояние неустойчивого равновесия между зародышем и И. ф.
Рис. 2. Влияние глубины внедрения в метастабильную область Dm на зависимость изменения термодинамич. потенциала Гиббса DG от радиуса зародыша новой фазы r, радиус критич. зародыша rк и работу его образования Wк. Кривая 1 - Dm = 0, кривые 2 и 3 отвечают возрастающим значениям Dm.
В этом состоянии хим. потенциал вещества Н. ф. в зародыше, повышенный за счет действия капиллярного давления Dрg = 2g/r, равен его хим. потенциалу в И. ф. В частицах с размером, меньшим rк, хим. потенциал вещества выше, чем в И. ф., и они стремятся уменьшить свой размер. Частицы, у которых r больше rк, имеют более низкий хим. потенциал и могут неограниченно расти за счет перехода вещества в них из материнской фазы. Частица с радиусом rк наз. поэтому критич. зародышем; rк = 2gVm/Dm. Для его возникновения необходимо затратить работу Wк, равную (по Гиббсу) одной трети его поверхностной энергии:
(sк - пов-сть критич. зародыша). Величину Wк можно рассматривать как высоту энергетич. барьера при зарождении новой фазы; его преодоление осуществляется флуктуационным путем (см. ниже). Чем больше глубина внедрения в метастабильную область (Dm), тем ниже высота энергетич. барьера Wк.
Работа образования критич. зародыша может уменьшаться при гетерог. зарождении новой фазы, например, при образовании зародыша на смачиваемой им пов-сти (рис. 3); при этом радиус кривизны пов-сти критич. зародыша rк остается неизменным, а соотношение работ гетерог. Wкгет и гомог Wкгом образований критич. зародышей равно отношению их объемов.
Рис. 3. Гетерогенное образование зародыша на плоской пов-сти (Q - краевой угол избират. смачивания)
При возникновении зародышей на плоской пов-сти:
(Q - краевой угол избират. смачивания, отсчитываемый в зародыше; рис. 3). Работа образования критич. зародыша при гетерог. зарождении новой фазы всегда ниже, чем при гомогенном, и меняется от Wкгом до 0 при изменении Q от 180° до 0°. Зарождение новой фазы еще более облегчается на дефектах структуры пов-сти - в царапинах, порах и др. С этим, в частности, связано использование пористых "кипятильников" при перегонке.
При гомог. образовании кристаллич. зародышей (при затвердевании, кристаллизации из раствора) их форма определяется условием Гиббса-Кюри минимума поверхностной энергии зародыша Sgisi, где gi и si - соотв. уд. свободные поверхностные энергии и площади i-х граней кристалла. Этому условию отвечает соотношение Вульфа: gi/hi= const, где hi - расстояние i-й грани от центра кристалла. Зависимость DG(hi) при образовании кристаллич. зародышей сходна с выражением (1), но численные коэф. оказываются иными. Часто выражение (1) применяют и при рассмотрении образования кристаллич. зародышей, подразумевая под величиной g некоторое усредненное (эффективное) значение уд. поверхностной энергии зародыша. При гетерог. образовании кристаллич. зародышей важное значение имеет структурное соответствие зародыша и матрицы, на которой он образуется. Выделение кристаллич. фазы на подложке с близкими параметрами их кристаллич. структуры наз. эпитаксиальным ростом. Как особый вид гетерог. Зарождение новой фазы можно рассматривать возникновение двухмерных зародышей при кристаллизации: новых атомарных (молекулярных) плоскостей с высотой а, равной межплоскостному расстоянию. При этом для зародышей квадратной формы с длиной ребра l:
критич. размер зародыша lк = 2gVm/Dm, работа его образования Wк = 4g2аVm/Dm. Возникновение двухмерных зародышей может определять скорость кристаллизации.
При зарождении новой фазы в кристаллич. фазе необходимо учитывать энергию упругих напряжений, возникающих из-за различия плотностей И. ф. и Н. ф.
В ряде случаев, особенно для высоковязких (напр., полимерных) систем, м. б. достигнута область абс. неустойчивости. При происходящем при этом "спинодальном распаде" зарождение новой фазы не связано с преодолением энергетич. барьера. Зарождение новой фазы без преодоления энергетич. барьера возможно и при низких температурах за счет проявления квантовых эффектов ("квантовое подбарьерное туннелирование").
Кинетическая теория зарождения новой фазы - сложная проблема, рассмотрению которой посвящены работы Я. Б. Зельдовича, Я. И. Френкеля, Р. Беккера, В. Дёринга и мн. др. ученых. Возникновение способного к дальнейшему росту зародыша с размером, большим критического, рассматривается как флуктуационный процесс образования термодинамически невыгодного микросостояния, т. е. состояния, которому отвечает увеличение энергии системы.
Если величина Dm мала, в системе возникает равновесное распределение зародышей по размерам, которое м. б. описано равновесной ф-цией распределения: f0 (r) = N1ехр(—DG(r)/kT), где k - постоянная Больцмана, N1 - обычно рассматривается как число мест, которые может занимать центр зародыша: оно приближенно равно числу молекул в единице объема системы (иногда учитываются некоторые дополнит. энтропийные эффекты). Поскольку при малых Dm величина Wк = DG(rк) велика, вероятность образования критич. зародышей пренебрежимо мала, а значит невозможно образование и термодинамически выгодных крупных зародышей, для которых DG(r) < 0, и ф-ция распределения f0(r) относится только к докритич. зародышам. При достаточно высоком Dm и низком Wк появление критич. зародыша становится достаточно вероятным, а после присоединения к нему одной или неск. молекул его рост становится необратимым. Можно сказать, что в такой системе случайные процессы увеличения и уменьшения размеров зародышей ведут к их направленной "диффузии вдоль оси размеров" к закритич.
состоянию. При этом устанавливается некоторая стационарная ф-ция распределения зародышей по размерам f(r), отличающаяся от равновесной f0(r). Частота образования закритич. зародышей I (их число, возникающее в единицу времени в единице объема системы) описывается выражением вида:
В этом выражении z =f(rк)/f0(rк) - "неравновесный фактор", который, по Зельдовичу, пропорционален (g/kT)1/2. "Кинетич. фактор" w описывает скорость роста критич. зародыша; обратную величину 1/w можно рассматривать как время жизни критич. зародыша, т. е. время присоединения к нему еще одной молекулы, переводящей его в закритич. состояние. Выражения для со сложны и зависят от типа фазового перехода. Так, для случая конденсации пара: